Spolo?nos? HP oznmila uzavretie dohody o spolo?nom vvoji s poprednm svetovm dodvate?om pamt Hynix Semiconductor Inc. Predmetom spoluprce bude vroba novho prvku obvodov memristora, ako aj jeho integrcia do pam?ovch produktov.
HP a Hynix bud spolo?ne vyvja? nov materily a integra?n procesy, ktor umonia komer?n vvoj tzv. rezistvnej pamte s nhodnm prstupom (Resistive Random Access Memory, ReRAM).
Rieenie ReRAM predstavuje trval pam? s nzkou spotrebou energie a potencilom nahradi? dnen pamte flash, pouvan v mobilnch telefnoch a MP3 prehrva?och, ?i sli? ako univerzlne pam?ov mdium. Tto pam? sa teda me sprva? ako flash, DRAM alebo naprklad aj pevn disk.
Memristory vyaduj na prevdzku menej energie, s rchlejie ako s?asn technolgie solid-state pamt a doku uchovva? informcie aj bez napjania. Memristor alebo pam?ov odpor definoval ako tvrt zkladn prvok obvodov profesor Leon Chua z University of California v Berkeley v roku 1971 a prvkrt ho experimentlne preukzali vedci zHP Labs v roku 2006.
HP za?iatkom tohto roka oznmilo, e memristor me riei? aj logick funkcie. Spolo?nos? tak preukzala, e zariadenia zaloen na memristoroch by mohli zmeni? tandardn paradigmu vpo?tovej techniky tm, e umonia vykonva? vpo?ty v rovnakch ?ipoch, v ktorch s uloen dta, a nielen v samostatnej centrlnej procesorovej jednotke.
Dr. S. W. Park, vkonn viceprezident a technologick riadite? spolo?nosti Hynix: Monosti lonej kapacity memristorov mnohonsobne presahuj to, ?o dnes ponkaj in technolgie. Vyuitm technolgie memristorov meme zkaznkom prinies? nov, rchlejie, energeticky sporn produkty.
Zdroj: TS HP