Vedcom z University of Cambridge Nanoscience Centre (Anglicko) sa pod veden�m v�skumn�ka Junginn Sohna podarilo vytvori? nov� druh komponentu nanopam�te, ktor� vyu��va pre ulo�enie inform�cie vodivos? nanotranzistorov zostaven�ch z oxidu zinku. Postaven� u� bol prototyp vyu��vaj�ci pevn� krem�kov� substr�t ako podklad na ktorom s� ulo�en� jednotliv� pam�?ov� elementy a v s�?asnosti vedci pracuj� na experimentoch s ohybn�m substr�tom.

Nov� druh pam�te je nonvolatiln�, tak�e po odpojen� od nap�jacieho nap�tia udr�iava zap�san� inform�ciu, podobne ako na krem�ku zalo�en� pam�te typu flash. Pomocou �tyroch r�znych �rovn� vodivosti je mo�n� do jednej pam�?ovej bunky zap�sa? a� 2 bity inform�cie.

Nev�hodou oproti flash pam�tiam je krat�ia doba, po?as ktorej sa zap�san� inform�cia v pam�ti udr��, men�� po?et prepisovac�ch cyklov a ni��ia r�chlos? pr�ce. V�hodou je naopak vy��ia hustota integr�cie, ke? sa pam�?ov� bunky s ekvivalentnou kapacitou perspekt�vne daj� ulo�i? do men�ieho priestoru, tak�e pam�? m��e zabra? men�� objem mobiln�ch zariaden� ako s� mobiln� telef�ny, MP3 prehr�va?e, RFID zna?ky, alebo kreditn� karty.�

Najv�?�ou v�hodou v�ak je jednoduch� v�robn� proces, ktor� m��e prebieha? pri izbovej teplote, ?o umo�?uje ulo�enie pam�te na flexibiln� plastov� substr�t. Pam�? sa tak napr�klad m��e sta? s�?as?ou flexibiln�ho displeja.

�

Zdroj: http://www.itnews.sk/