Nov technolgia, ktor by mohla by? vyuit ako alternatva s?asnch NAND ?ipov, vyuva viac vrstiev pamte na jednom ?ipe, ?o bva ozna?ovan aj ako 3D pam? a jej vhodou je vysok kapacita na malom priestore.
Pod?a hovorcu Rise University s?ubuje nov pam?ov technolgia zna?ne vyiu klovate?nos?, ne je tomu u s?asnch technolgi a navye s ?ipy vyroben z pomerne lacnho materilu. U v roku 2008 predstavili vskumnci z univerzity prv vsledky projektu, ktor umo?ovali za vyuitia 10nm ?astc grafitu nieko?konsobne zvi? kapacitu flash pamt. Novo vyvinut technolgia je navye odoln proti extrmnym podmienkam a nevad jej radicia ani teploty okolo 200 stup?ov, ktor by ben SSD disk kompletne odstavili.
Lin Zhong, profesor Rice University, hovor, e oproti dnenm flash ?ipom prina ich technolgia a p?nsobn hustotu a to aj bez pridania ?alch vrstiev, kedy sa potom hustota ete nsob. Podobne ako u flash pamt nie je vyadovan iadne naptie pre uchovanie dt, len pre operciu s nimi.
James Tout, ?al z profesorov na univerzite je presved?en, e 3D pamte ovldnu biznis s pam?ovmi ?ipmi zhruba do tyroch rokov a vrobcovia, ktor bud chcie? zosta? na pi?ke oboru, bud nten na tto technolgiu prejs?. Navye konven?n technolgie pouvan pre flash pamte bud pod?a Touta schopn vyuva? prinajlepom 20nm vrobn proces, zatia? ?o novo predstaven technolgia je vhodn pre obvody s ve?kos?ou menou ako 10nm. Vrobu u v s?asnosti testuje technologick spolo?nos? PrivaTran z Austinu, ktor v spoluprci s univerzitou experimentuje s kremkovmi pam?ovmi ?ipmi a jej zstupcovia tvrdia, e sa tm otvra priestor pre vytvorenie plne novej rovne kapacity flash ?ipov pri pomerne nzkej cene.
Zdroj: itnews.sk